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龙图腾网获悉江西汉可泛半导体技术有限公司申请的专利一种太阳能电池片切割边缘钝化膜层及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120138594B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510340877.3，技术领域涉及：C23C16/02；该发明授权一种太阳能电池片切割边缘钝化膜层及其方法是由黄海宾;刘翠翠设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳能电池片切割边缘钝化膜层及其方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种太阳能电池片切割边缘钝化的方法，使用热丝化学气相沉积形成钝化膜层，包括：将电池片的切割边缘裸露并正对热丝；将热丝通入电流加热，通入H2进行氢刻蚀；保持加热，在第一压力下通入SiH4，保持第一压力同时通入SiH4和H2，得到a‑Si:H膜层；保持加热，在第二压力下同时通入SiH4和NH3，在a‑Si:H膜层上沉积得到SiNx:H膜层，形成切割边缘的钝化复合膜层，或者在第二压力下同时通入SiH4、NH3、H2和O2，在a‑Si:H膜层上沉积得到SiNxOy:H膜层，形成切割边缘的钝化复合膜层。本发明提供了一种低缺陷态密度、高钝化性能、优良耐候性、高光学透过率的综合性能优良膜层和工艺简单、性价比高、可规模化应用的镀膜技术。

本发明授权一种太阳能电池片切割边缘钝化膜层及其方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池片切割边缘钝化的方法，其特征在于，使用热丝化学气相沉积设备在切割边缘沉积形成钝化膜层，包括以下步骤： 将电池片的切割边缘裸露并正对热丝； 将热丝通入电流加热，然后通入H2进行硅片表面的氢刻蚀； 保持热丝通入电流加热，在第一压力下，通入SiH4，然后保持第一压力，同时通入SiH4和H2，在室温至200℃下完成非晶硅层生长，得到a-Si:H膜层； 继续保持热丝通入电流加热，在第二压力下，同时通入SiH4和NH3，在室温至200℃下完成氮化硅层生长，在a-Si：H膜层上沉积得到SiNx：H膜层，从而形成切割边缘的钝化复合膜层，或者在第二压力下，同时通入SiH4、NH3、H2和O2，在室温至200℃下完成氮氧化硅层生长，在a-Si：H膜层上沉积得到SiNxOy:H膜层，从而形成切割边缘的钝化复合膜层， 其中： 热丝通入的电流≥30A，通入H2的流量为200-1000sccm； 第一压力≤3Pa，通入的SiH4和H2中流量比SiH4：H2≥1：1，非晶硅层的厚度为5-30nm； 当在a-Si：H膜层上沉积得到SiNx：H膜层时，第二压力≤5Pa，通入SiH4和NH3中流量比NH3：SiH4≥2：1，氮化硅层的厚度为1-100nm； 当在a-Si：H膜层上沉积得到SiNxOy：H膜层时，第二压力≤5Pa，通入SiH4、NH3、H2和O2中流量比NH3：SiH4≥2：1，流量比H2：SiH4≥1：1，流量比O2：SiH4≥1：1，氮氧化硅层的厚度为1-100nm； 当沉积SiNx：H膜层时，得到的SiNx：H膜层的折射率为1.7-2.1并且连续可调；当沉积SiNxOy：H膜层时，得到的SiNxOy：H膜层的折射率≤1.5。

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