常州维普半导体设备有限公司徐东亮获国家专利权
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龙图腾网获悉常州维普半导体设备有限公司申请的专利一种用于半导体掩膜拐角缺陷的检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120031843B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510127092.8，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权一种用于半导体掩膜拐角缺陷的检测方法是由徐东亮设计研发完成，并于2025-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于半导体掩膜拐角缺陷的检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于半导体掩膜拐角缺陷的检测方法，方法的步骤中含有：S1：获取掩膜的实际采图和对应的掩膜设计图的渲染图；S2：在渲染图上根据掩膜设计图标记出对应的拐角位置；S3：将渲染图和实际采图进行配准；S4：对每一个拐角位置处的渲染图和实际采图分别进行如下操作：亚像素边缘的定位和对定位的亚像素边缘点进行连接；S5：对连接的亚像素边缘点求取拐角特征；S6：设定相应拐角特征的阈值，根据阈值来判定此处的拐角是否为缺陷。通过该方法可以提高拐角的检测对噪声的敏感度，减少拐角伪缺陷，提高拐角检测精度。
本发明授权一种用于半导体掩膜拐角缺陷的检测方法在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体掩膜拐角缺陷的检测方法，其特征在于，方法的步骤中含有： S1：获取掩膜的实际采图和对应的掩膜设计图的渲染图； S2：在渲染图上根据掩膜设计图标记出对应的拐角位置； S3：将渲染图和实际采图进行配准； S4：对每一个拐角位置处的渲染图和实际采图分别进行如下操作：亚像素边缘的定位和对定位的亚像素边缘点进行连接； S5：对连接的亚像素边缘点求取拐角特征； S6：设定相应拐角特征的阈值，根据阈值来判定此处的拐角是否为缺陷; 所述拐角特征包括拐角的曲率或曲率和开口方向; 求取拐角的曲率和开口方向的步骤如下： 将进行连接的亚像素边缘点作为数据集进行最小二乘的圆拟合，以获取拟合圆的半径r和圆心； 根据拟合圆的半径r得到拐角的曲率k=1r；通过将进行连接的每个亚像素边缘点和圆心组成对应的向量，将向量求和后取平均即获得拐角的开口方向; 在步骤S6中，根据阈值来判定此处的拐角是否为缺陷具体为： 对渲染图和实际采图的相应拐角位置的拐角特征求差，得差值； 比较差值绝对值和阈值； 基于差值绝对值和阈值的比较结果判定相应拐角是否为缺陷。
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