成都航天博目电子科技有限公司刘琦获国家专利权
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龙图腾网获悉成都航天博目电子科技有限公司申请的专利一种三维异质异构集成微系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119786471B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411991255.9,技术领域涉及:H01L23/48;该发明授权一种三维异质异构集成微系统是由刘琦;郭富维;周炼;侯健宏;闫玉凯;文超设计研发完成,并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维异质异构集成微系统在说明书摘要公布了:本发明公开了一种高可靠性多通道三维异质异构集成微系统,包括顶层硅基转接板上焊球、顶层硅基转接板、顶层硅基转接板内硅通孔、顶层硅基转接板下表面频率选择结构、中间层硅基转接板、中间层硅基转接板硅通孔、低功耗芯片器件、底层硅基转接板上表面再布线、底层硅基转接板内硅通孔、底层硅基转接板、底层硅基转接板下表面焊球、高温共烧陶瓷基板、高温共烧陶瓷基板下表面频率选择结构、直接镀铜陶瓷基板围坝、大功率芯片器件、直接镀铜陶瓷基板、高导热材料,频率选择结构分别设置在低功耗芯片器件和大功率芯片器件正上方,为金属结构,用于吸收特定频率下的电磁波。本发明能够提高系统的电磁稳定性,提升系统的导热率,整体提高系统的可靠性。
本发明授权一种三维异质异构集成微系统在权利要求书中公布了:1.一种三维异质异构集成微系统,其特征在于,包括顶层硅基转接板上焊球、顶层硅基转接板、顶层硅基转接板内硅通孔、顶层硅基转接板下表面频率选择结构、中间层硅基转接板、中间层硅基转接板硅通孔、低功耗芯片器件、底层硅基转接板上表面再布线、底层硅基转接板内硅通孔、底层硅基转接板、底层硅基转接板下表面焊球、高温共烧陶瓷基板、高温共烧陶瓷基板下表面频率选择结构、直接镀铜陶瓷基板上围坝、大功率芯片器件、直接镀铜陶瓷基板、高导热材料; 顶层硅基转接板、中间层硅基转接板以及底层硅基转接板构成硅基封装,所述高温共烧陶瓷基板、直接镀铜陶瓷基板上围坝以及直接镀铜陶瓷基板构成陶瓷封装,所述低功耗芯片器件放置在底层硅基转接板上,通过金丝键合到底层硅基转接板上表面再布线上,实现层内信号互联,通过底层硅基转接板内硅通孔、底层硅基转接板下表面金属层和底层硅基转接板下表面焊球实现硅基封装和陶瓷封装之间信号互联,通过中间层硅基转接板硅通孔、顶层硅基转接板内硅通孔以及顶层硅基转接板上焊球实现信号与外部接口的互联; 直接镀铜陶瓷基板上围坝从直接镀铜陶瓷基板上电镀形成,与高温共烧陶瓷基板焊接密封,高导热材料嵌入在直接镀铜陶瓷基板内部,大功率芯片器件放置在高导热材料上,直接镀铜陶瓷基板上围坝用于实现高温共烧陶瓷基板与直接镀铜陶瓷基板之间的信号互联; 顶层硅基转接板下表面频率选择结构以及高温共烧陶瓷基板下表面频率选择结构分别设置在低功耗芯片器件和大功率芯片器件正上方,为金属结构,用于吸收特定频率下的电磁波; 所述高导热材料包括钼铜和金刚石铜。
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