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龙图腾网获悉江苏师范大学申请的专利一种量子点电吸收调制器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119758617B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411957243.4，技术领域涉及：G02F1/017；该发明授权一种量子点电吸收调制器及其制备方法是由赵波;秦金源;殷琪深设计研发完成，并于2024-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种量子点电吸收调制器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种量子点电吸收调制器及其制备方法，该电吸收调制器从下至上依次包括N接触电极层、InP衬底、InP缓冲层、InGaAsP下分别限制层、多周期InAs量子点有源层、InGaAsP上分别限制层、InP间隔层、InP盖层、InGaAs接触层及P接触电极层。在InP缓冲层、InGaAsP下分别限制层及多周期InAs量子点有源层的两侧分布InP半绝缘层，在InGaAsP上分别限制层、InP间隔层的两侧分布InP阻挡层，在P电极两侧分布BCB层。本发明的电吸收调制器能够在更低偏压下具有更大的消光比的同时，提高其带宽。

本发明授权一种量子点电吸收调制器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点电吸收调制器，其特征在于，该电吸收调制器从下至上依次包括N接触电极层（1）、InP衬底（2）、InP缓冲层（3）、InGaAsP下分别限制层（4）、多周期InAs量子点有源层（5）、InGaAsP上分别限制层（6）、InP间隔层（7）、InP盖层（8）、InGaAs接触层（9）及P接触电极层（10）；其中，在所述InP缓冲层（3）、InGaAsP下分别限制层（4）及多周期InAs量子点有源层（5）的两侧分布InP半绝缘层（11），在所述InGaAsP上分别限制层（6）、InP间隔层（7）的两侧分布InP阻挡层（12），在P接触电极层（10）两侧分布BCB层（13）； 多周期InAs量子点有源层（5）的周期数为1-20，每层均为InAs量子点（14），且量子点上覆盖10-40nm厚的InGaAsP势垒层（15）； 所述InP半绝缘层（11）为Ru掺杂，折射率为3.1-3.2，电阻率为108-109Ω·m，其宽度为1-5μm； 所述InP阻挡层（12）为n型掺杂，折射率为3.1-3.2，其宽度为1-5μm。

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