厦门乾照光电股份有限公司段方方获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584731B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411955642.7，技术领域涉及：H10H20/82；该发明授权一种LED芯片及其制作方法是由段方方;刘伟;邬新根设计研发完成，并于2024-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，其中，LED芯片通过设置外延叠层单元，外延叠层单元至少包括：从下至上依次层叠于衬底上的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层；其中,在第二型半导体层上表面的边缘区域设有凹凸的微结构，微结构可以做为绝缘保护层形成过程的成核点，以提高绝缘保护层的致密性及粘附性，有利于缓解LED芯片上表面边缘区域的应力集中以提升LED芯片的防水汽能力，进而提高LED芯片的可靠性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
本发明授权一种LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，包括衬底及设置于所述衬底表面并通过切割道相互间隔排布的若干个LED发光单元，其特征在于，所述LED发光单元包括： 设置在所述衬底表面的外延叠层单元，所述外延叠层单元至少包括：从下至上依次层叠于所述衬底上的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层；在所述外延叠层单元背离所述衬底的一侧具有显露部分所述第一型半导体层的凹槽；其中，在所述第二型半导体层上表面的边缘区域设有凹凸的微结构； 在所述外延叠层单元上设置第一电极和第二电极：所述第一电极设置于所述凹槽的底部与所述第一型半导体层形成电连接，并与所述凹槽的侧壁绝缘设置；所述第二电极设置于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧并与所述第二型半导体层形成电连接，且所述第一电极和所述第二电极远离设置； 绝缘保护层，其覆盖所述微结构及所述外延叠层单元的裸露面，并显露所述第一电极和所述第二电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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