甬江实验室万青获国家专利权
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龙图腾网获悉甬江实验室申请的专利倒置结构薄膜铌酸锂/钽酸锂电光调制器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119738985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411886885.X，技术领域涉及：G02F1/035；该发明授权倒置结构薄膜铌酸锂/钽酸锂电光调制器的制备方法是由万青;翁海中;吴云涛设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本倒置结构薄膜铌酸锂/钽酸锂电光调制器的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种倒置结构薄膜铌酸锂钽酸锂电光调制器的制备方法，属于电光调制器技术领域。该制备方法包括如下步骤：提供器件层，所述器件层的材料选自铌酸锂和或钽酸锂；在所述器件层上获得波导结构：在所述器件层的一侧表面通过刻蚀或沉积的方式制备所述波导结构；倒置低温键合、减薄：提供衬底，使所述波导结构的一面朝向所述衬底，将所述器件层倒置低温键合于所述衬底上，然后对所述器件层进行减薄。此方法可解决离子注入造成晶格损伤的问题，以及减薄再制备器件时器件层厚度不均、表面不光滑的问题。
本发明授权倒置结构薄膜铌酸锂/钽酸锂电光调制器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒置结构薄膜铌酸锂钽酸锂电光调制器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供器件层，所述器件层的材料选自铌酸锂和或钽酸锂； 在所述器件层上获得波导结构：在所述器件层的一侧表面通过刻蚀或沉积的方式制备所述波导结构； 倒置低温键合、减薄：提供衬底，使所述波导结构的一面朝向所述衬底，将所述器件层倒置低温键合于所述衬底上，然后对所述器件层进行减薄。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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