长鑫科技集团股份有限公司陈军获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利键合方法及键合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119400713B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411489995.2，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权键合方法及键合结构是由陈军;李宗翰;王春阳设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本键合方法及键合结构在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供了一种键合方法，包括：提供晶圆，其中，晶圆包括多个第一芯片和多个第二芯片；在晶圆上形成多个接触插塞，接触插塞与晶圆的第一芯片和第二芯片电连接；在晶圆的第一芯片上形成伪钝化层，在除第一芯片外的区域形成钝化层，伪钝化层和钝化层共同覆盖多个接触插塞；图案化钝化层，以暴露部分接触插塞的表面，并在图案化后的钝化层内形成键合焊盘，键合焊盘覆盖部分接触插塞的表面，并通过接触插塞与第二芯片电连接；将至少两个晶圆进行混合键合，以形成键合结构。
本发明授权键合方法及键合结构在权利要求书中公布了：1.一种键合方法，其特征在于，包括： 提供晶圆，其中，所述晶圆包括多个第一芯片和多个第二芯片； 在所述晶圆上形成多个接触插塞，所述接触插塞与所述晶圆的所述第一芯片和所述第二芯片电连接； 在所述晶圆的所述第一芯片上形成伪钝化层，在除所述第一芯片外的区域形成钝化层，所述伪钝化层和所述钝化层共同覆盖多个所述接触插塞； 图案化所述钝化层，以暴露部分所述接触插塞的表面，并在图案化后的所述钝化层内形成键合焊盘，所述键合焊盘覆盖部分所述接触插塞的表面，并通过所述接触插塞与所述第二芯片电连接； 将至少两个所述晶圆进行混合键合，以形成键合结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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