苏州精材半导体科技有限公司;北京精材半导体科技有限公司朴钟熏获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州精材半导体科技有限公司;北京精材半导体科技有限公司申请的专利连续式化学气相沉积方法、系统、程序和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119265549B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411383172.1，技术领域涉及：C23C16/52；该发明授权连续式化学气相沉积方法、系统、程序和存储介质是由朴钟熏;崔海珍;金锡津设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本连续式化学气相沉积方法、系统、程序和存储介质在说明书摘要公布了：本公开涉及化学气相沉积技术领域，特别地涉及一种连续式化学气相沉积方法、系统、程序和存储介质。方法包括：将设置有基材的第一反应容器设置于第二工位，进行化学气相沉积反应；将设置有基材的第二反应容器设置于第一工位，调节第三工位和所述第一工位的气氛，使之与第二工位一致；将反应完毕的所述第一反应容器移动至第三工位，然后将所述第二反应容器移动至所述第二工位，进行化学气相沉积反应。本公开的连续式化学气相沉积方法、系统、程序和存储介质能够提供沉积产品的生产效率。
本发明授权连续式化学气相沉积方法、系统、程序和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种连续式化学气相沉积方法，其特征在于，包括如下步骤： 将设置有基材的第一反应容器设置于第二工位12，在所述第二工位（12）内，通过使所述第一反应容器上设置的气体接口（42）与所述第二工位（12）对应的通孔对接，由气体支持装置（3）向所述第一反应容器内供给反应气氛，进行化学气相沉积反应； 将设置有基材的第二反应容器设置于第一工位11，调节第三工位13和所述第一工位11的气氛，使之与第二工位12一致； 将反应完毕的所述第一反应容器移动至第三工位13，然后将所述第二反应容器移动至所述第二工位12，并在所述第二工位（12）内，通过使所述第二反应容器上设置的气体接口（42）与所述第二工位（12）对应的通孔对接，由气体支持装置（3）向所述第二反应容器内供给反应气氛，进行化学气相沉积反应。
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