南京大学王鼎淇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种无掩膜版多次光刻的微纳图案制造与转移方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119045291B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411368080.6，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种无掩膜版多次光刻的微纳图案制造与转移方法是由王鼎淇;丁孙安;伍莹设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种无掩膜版多次光刻的微纳图案制造与转移方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无掩膜版多次光刻的微纳图案制造与转移方法；通过对1微米以上图形和1微米以下图形划分，分别执行激光直写曝光和电子束曝光，采用两次曝光加剥离的方法，能够兼容图案内同时存在微米级以上的大线宽与纳米级的小线宽，可以快速、低成本的加工纳米尺度的微细图形，并且采用剥离的方法将光刻图案转移到材料层内，可以避免刻蚀所带来的线宽丢失，能够更加精准的进行图案转移。
本发明授权一种无掩膜版多次光刻的微纳图案制造与转移方法在权利要求书中公布了：1.一种无掩膜版多次光刻的微纳图案制造与转移方法，其特征在于，包括以下步骤： 1采用有机溶剂清洗衬底材料，在衬底表面旋涂光刻胶，烘烤； 2在激光直写设备中导入图案，在衬底材料上进行激光直写曝光，曝光得到1微米以上的图案；采用显影液进行显影，去除曝光后的光刻胶，得到显影后的衬底材料； 3采用电子束蒸镀、磁控溅射或原子层沉积中的一种薄膜生长方式，在显影后的衬底材料上进行镀膜，得到镀膜后的衬底材料； 4将镀膜后的衬底材料泡入腐蚀液中水浴加热，分离衬底材料与膜层，将光刻图案剥离转移到膜层上，即得微米级以上的图案； 5在步骤4分离后的衬底材料表面旋涂光刻胶，烘烤； 6在电子束曝光设备中导入图案，在衬底材料上，对准套刻标记进行电子束曝光，曝光得到线宽1微米以下的图案；采用显影液进行显影，去除曝光后的光刻胶，得到二次显影后的衬底材料； 7采用电子束蒸镀、磁控溅射或原子层沉积中的一种薄膜生长方式，在二次显影后的衬底材料上进行镀膜，得到二次镀膜后的衬底材料； 8将二次镀膜后的衬底材料泡入腐蚀液中水浴加热，分离衬底材料与膜层，将光刻图案剥离转移到膜层上，即得纳米级的图案。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京大学，其通讯地址为：215163 江苏省苏州市太湖大道1520号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励