厦门士兰明镓化合物半导体有限公司薛龙获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请的专利发光二极管的外延结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118676270B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410702639.8，技术领域涉及：H10H20/811；该发明授权发光二极管的外延结构及其制造方法是由薛龙;李森林;毕京锋设计研发完成，并于2024-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管的外延结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种发光二极管的外延结构及其制造方法，发光二极管的外延结构包括自下向上的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的掺杂类型相反，所述第二半导体层包括超晶格层，所述超晶格层位于所述第二半导体层中最靠近所述有源层的位置，所述超晶格层包括周期性交替堆叠的阱层和垒层，所述垒层的Al组分大于所述阱层的Al组分，各层所述阱层的Al组分相同，各层所述垒层的Al组分自下向上逐层升高；所述垒层的掺杂浓度高于所述阱层的掺杂浓度，各层所述阱层的掺杂浓度相同，各层所述垒层的掺杂浓度自下向上逐层升高。本发明的技术方案使得能够提高发光二极管的发光效率和亮度。
本发明授权发光二极管的外延结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管的外延结构，其特征在于，包括自下向上的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的掺杂类型相反，所述第二半导体层包括超晶格层，所述超晶格层位于所述第二半导体层中最靠近所述有源层的位置，所述超晶格层包括周期性交替堆叠的阱层和垒层，所述垒层的Al组分大于所述阱层的Al组分，各层所述阱层的Al组分相同，各层所述垒层的Al组分自下向上逐层升高；所述垒层的掺杂浓度高于所述阱层的掺杂浓度，各层所述阱层的掺杂浓度相同，各层所述垒层的掺杂浓度自下向上逐层升高。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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