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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种基于垂直沟道晶体管的高密度存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118434156B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410626492.9，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权一种基于垂直沟道晶体管的高密度存储器及其制备方法是由李调阳;王志杰;赵亚鹏;刘彦亨设计研发完成，并于2024-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于垂直沟道晶体管的高密度存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种基于垂直沟道晶体管的高密度存储器及其制备方法，包括由垂直沟道场效应晶体管FET和磁隧道结MTJ组成的1T1M结构的存储单元；所述垂直沟道FET为基于环绕栅GAA构型的FET；所述垂直沟道FET效应晶体管堆叠在磁隧道结MTJ正上方；存储单元由上部的垂直沟道FET晶体管作为驱动晶体管，由下部的磁隧道结MTJ对存储单元状态进行存储，通过控制驱动晶体管的电流大小和方向，对磁隧道结MTJ自由层的磁化翻转状态进行调控，以实现数据的读取、擦除和写入；本发明采用环绕栅（GAA）构型的垂直沟道FET与磁隧道结（MTJ）进行垂直堆叠，其尺寸可微缩至4F2，可实现更高集成密度的MRAM。

本发明授权一种基于垂直沟道晶体管的高密度存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于垂直沟道晶体管的高密度存储器，其特征在于：包括由垂直沟道场效应晶体管FET和磁隧道结MTJ组成的1T1M结构的存储单元；所述垂直沟道场效应晶体管FET为基于环绕栅GAA构型的FET；所述垂直沟道场效应晶体管FET堆叠在磁隧道结MTJ正上方； 存储单元由上部的垂直沟道FET晶体管作为驱动晶体管，由下部的磁隧道结MTJ对存储单元状态进行存储，通过控制驱动晶体管的电流大小和方向，对磁隧道结MTJ自由层的磁化翻转状态进行调控，以实现数据的读取、擦除和写入； 所述存储器的存储单元的面积为4F2； 所述磁隧道结MTJ为SiSiO2材质衬底（1）上生长的多层堆叠磁性结构，所述垂直沟道场效应晶体管FET为在所述MTJ上方制备的环绕栅构型的垂直沟道FET； 所述磁隧道结MTJ包括通过微纳加工工艺在衬底上成型的第一钝化层（6），以及位于第一钝化层旁侧衬底处自下而上分布的钉扎层（2）、参考层（3）、势垒层（4）、自由层（5）； 所述环绕栅构型的垂直沟道FET包括自下而上分布的源极（7）、第二钝化层（8）、栅极（9）、第三钝化层（10）、栅介质层（11）、沟道层（12）、填充层（13）、漏极（14）； 第二钝化层与第一钝化层和源极相接触；第三钝化层与第二钝化层和栅极相接触。

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