天合光能股份有限公司施方旭获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118398718B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410577291.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池及其制备方法是由施方旭设计研发完成，并于2024-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法，利用原子层沉积技术于基底的表面上形成第一透明导电氧化层，再于第一透明导电氧化层远离基底的一侧形成第二透明导电氧化层。原子层沉积工艺无需通过等离子体轰击靶材，形成第一透明导电氧化层过程中对接近无损伤，形成的第一透明导电氧化层在具备原有基础功能的基础上，还具备保护功能，可以隔离第二透明导电氧化层在制备过程对基底可能产生的影响，离子轰击造成的损伤风险可以大大降低，有利于提高电池效率，同时可以使得第二透明导电氧化层可以灵活选择制备方式，提高制备的可选择性；原子层沉积拥有很好台阶覆盖性，可以使得各第一透明导电氧化层更易匹配前端更为复杂的表面结构，进一步提高电池效率。
本发明授权太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底； 利用原子层沉积技术于所述基底的表面上形成第一透明导电氧化层，所述表面包括相背的受光面和背光面； 于所述第一透明导电氧化层远离所述基底的一侧形成第二透明导电氧化层； 其中，在所述背光面，形成的所述第一透明导电氧化层的多个周期中，通入掺杂源前驱体的周期间隔逐渐减小，所述第一透明导电氧化层的自靠近基底部分向远离基底部分的掺杂量逐渐升高；在所述受光面，形成的所述第一透明导电氧化层的多个周期中，通入掺杂源前驱体的周期间隔逐渐增大，第一透明导电氧化层的自靠近基底部分向远离基底部分的掺杂量逐渐降低。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天合光能股份有限公司，其通讯地址为：213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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