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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种光电共同调控混合隧道结双极型晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118315416B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410517402.2，技术领域涉及：H10D10/40；该发明授权一种光电共同调控混合隧道结双极型晶体管及制备方法是由张永爱;林俊成;陈超;苏文娟;林坚普;周雄图;吴朝兴;郭太良设计研发完成，并于2024-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光电共同调控混合隧道结双极型晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种光电共同调控混合隧道结双极型晶体管，涉及半导体领域，双极型晶体管包括：衬底、设置于衬底上的第三N型氮化镓层、设置于衬底上的第二P型氮化镓层和发射极金属接触层、设置于第二P型氮化镓层上的基极金属接触层和第一P型重掺杂氮化镓层、依次设置于第一P型重掺杂氮化镓层上的非故意掺杂氮化镓铟极化层、第二N型重掺杂氮化镓层、第一N型氮化镓层，以及设置于第一N型氮化镓层上的集电极金属接触层。本发明通过设置隧道结，可以增强空穴注入，降低器件电阻，提高器件的响应速度。本发明克服金属有机化学气相沉积法制备的工艺困难，通过分子束外延生长过程中引入氢的缺失，减低制造隧道结器件的工艺难度并提升器件性能。

本发明授权一种光电共同调控混合隧道结双极型晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光电共同调控混合隧道结双极型晶体管，其特征在于，所述双极型晶体管包括： 衬底； 设置于所述衬底上的第三N型氮化镓层； 设置于所述衬底上的第二P型氮化镓层和发射极金属接触层； 设置于所述第二P型氮化镓层上的基极金属接触层和第一P型重掺杂氮化镓层； 依次设置于所述第一P型重掺杂氮化镓层上的非故意掺杂氮化镓铟极化层、第二N型重掺杂氮化镓层、第一N型氮化镓层； 以及设置于所述第一N型氮化镓层上的集电极金属接触层； 其中，所述第一P型重掺杂氮化镓层、所述非故意掺杂氮化镓铟极化层、所述第二N型重掺杂氮化镓层、所述第一N型氮化镓层由分子束外延法MBE依次生长； 所述第二N型重掺杂氮化镓层以及所述第一P型重掺杂氮化镓层为超薄氮化镓层，其中，所述第二N型重掺杂氮化镓层的厚度20nm-40nm，所述第一P型重掺杂氮化镓层的厚度为10nm-20nm，以此来形成TJ隧道结结构； 所述非故意掺杂氮化镓铟极化层厚度为1nm-2nm超薄层； 所述双极型晶体管的制备方法包括以下步骤: S1：在衬底上采用气相沉积法沉积第三N型氮化镓层，在所述第三N型氮化镓层上采用气相沉积法沉积第二P型氮化镓层； S2：在所述第二P型氮化镓层上采用分子束外延法MBE依次生长第一P型重掺杂氮化镓层、非故意掺杂氮化镓铟极化层、第二N型重掺杂氮化镓层、第一N型氮化镓层； S3：基于掩膜版，保留集电极区，并在基极区依次刻蚀去除部分所述第一N型氮化镓层、所述第二N型重掺杂氮化镓层、所述非故意掺杂氮化镓铟极化层、所述第一P型重掺杂氮化镓层，并在发射极区依次刻蚀去除部分所述第一N型氮化镓层、所述第二N型重掺杂氮化镓层、所述非故意掺杂氮化镓铟极化层、所述第一P型重掺杂氮化镓层、所述第二P型氮化镓层； S4：在集电极区生成集电极金属接触层，在所述基极区生成基极金属接触层，在所述发射极区生成发射极金属接触层。

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