西安电子工程研究所毛永艳获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子工程研究所申请的专利一种高合成效率的瞬态电磁脉冲发射阵列天线及优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117559148B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311602509.9，技术领域涉及：H01Q21/00；该发明授权一种高合成效率的瞬态电磁脉冲发射阵列天线及优化方法是由毛永艳;冯玉文;马世川;郗旺;蒋丹;王亚杰;谢军;荆晓鹏;赵程光;解江远;田川;金兆鑫;张帆设计研发完成，并于2023-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高合成效率的瞬态电磁脉冲发射阵列天线及优化方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高合成效率的瞬态电磁脉冲发射阵列天线、优化方法，属于天线技术领域。采用对踵Vivaldi天线单元组阵，优化阵列天线的组阵数量和间距使阵列口径近方形，多路辐射脉冲的波程差小，在远区辐射场的合成峰值电场高。天线采用低介电常数的介质基板，对瞬态电磁脉冲的传输和辐射损耗小，进而提高了合成效率；相比于直线、矩形或三角形等布阵方式，近方形的阵列口径下，在辐射远区，各天线单元由波程差引起的相位差更小，合成电场更大，合成效率更高。
本发明授权一种高合成效率的瞬态电磁脉冲发射阵列天线及优化方法在权利要求书中公布了：1.一种高合成效率的瞬态电磁脉冲发射阵列天线，其特征在于，包括m×n个对踵Vivaldi天线单元，m×n个天线单元沿x方向的组阵间距为dx，沿y方向的组阵间距为dy，优化阵列天线的m、n、dx、dy取值使阵列口径近方形，多路辐射脉冲的波程差小，在远区辐射场的合成峰值电场高；所述对踵Vivaldi天线单元包括上金属片、介质基板、下金属片和馈电连接器；所述上金属片和所述下金属片分别蚀刻于所述介质基板的上表面和下表面，馈电连接器与上金属片连接；所述上金属片和所述下金属片的内边缘和外边缘形状由指数曲线方程确定，其中，，，、为指数曲线的起始点和终止点，A为指数曲线的张开率，包括外指数曲线张开率和内指数曲线张开率；馈电巴伦的上边缘为四分之一椭圆线，椭圆线的半长轴长度为D，半短轴长度为F；优化外指数曲线张开率和内指数曲线张开率，D，F和槽线宽度的取值，使天线具有最优的电压转换系数；对踵vivaldi阵列天线用于多路瞬态电磁脉冲的发射和空间功率合成。
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