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龙图腾网获悉英诺赛科(珠海)科技有限公司申请的专利一种半导体器件以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117594633B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311540566.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件以及制备方法是由马俊辉;陈柏玮;饶剑设计研发完成，并于2023-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件以及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件以及制备方法，半导体器件包括：衬底；第三氮化物半导体层，位于衬底的一侧，其具有第一表面，第一表面包括至少一个第一凹槽；第一氮化物半导体层，位于第三氮化物半导体层的第一表面；第一氮化物半导体层远离衬底一侧的表面在第一凹槽处具有第二凹槽；第二氮化物半导体层，覆盖第一氮化物半导体层远离衬底的表面；第二氮化物半导体层具有与第一氮化物半导体层不同的带隙；栅极结构，位于第二氮化物半导体层远离衬底的一侧；栅极结构在衬底上的垂直投影与第二凹槽在衬底上的垂直投影部分重叠。本发明提供的技术方案，提高了半导体器件的空间利用率，并增大了半导体器件的有效导通电流，降低了半导体器件的导通电阻。

本发明授权一种半导体器件以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 第三氮化物半导体层，位于所述衬底的一侧，所述第三氮化物半导体层具有第一表面；所述第一表面包括至少一个第一凹槽；所述第一表面为所述第三氮化物半导体层远离所述衬底一侧的表面；所述第三氮化物半导体层与所述衬底的接触面为平面； 第一氮化物半导体层，位于所述第三氮化物半导体层具有第一凹槽的第一表面；所述第一氮化物半导体层远离所述衬底一侧的表面在所述第一凹槽处具有第二凹槽；所述第三氮化物半导体层的材料与所述第一氮化物半导体层的材料相同，且所述第三氮化物半导体层中掺杂有碳元素； 第二氮化物半导体层，位于所述第一氮化物半导体层远离所述衬底的一侧，并覆盖所述第一氮化物半导体层的表面；所述第二氮化物半导体层具有与所述第一氮化物半导体层不同的带隙； 栅极结构，位于所述第二氮化物半导体层远离所述衬底的一侧；所述栅极结构在所述衬底上的垂直投影与所述第二凹槽在所述衬底上的垂直投影部分重叠； 所述第一表面包括多个沿第一方向延伸的第一凹槽；多个所述第一凹槽沿第二方向依次排列； 所述栅极结构沿所述第二方向延伸；所述第一方向与所述第二方向互相交叉；所述第一凹槽与所述第二凹槽一一对应设置。

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