北京超弦存储器研究院朱正勇获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利一种半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922905B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311436524.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子设备是由朱正勇;康卜文;赵超设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括多个堆叠的晶体管，贯穿所述不同层的第一通孔和第二通孔，设置在所述第一通孔内沿着垂直衬底方向延伸且贯穿不同层的半导体层和背栅电极，所述半导体层包括多个间隔设置的第一半导体子层和位于相邻的第一半导体子层之间的第二半导体子层；字线，设置在所述第二通孔内且贯穿所述不同层沿着垂直衬底方向延伸，字线与所述第一半导体子层沿平行于所述衬底方向的距离小于字线与所述第二半导体子层沿平行于衬底方向的距离。本公开实施例提供的方案，通过为寄生晶体管设置栅电极，通过栅电极关断寄生晶体管，从而无需刻蚀去除寄生半导体层，可以避免影响晶体管，提高器件性能。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 多个晶体管，分布于不同层沿着垂直于衬底方向堆叠； 贯穿所述不同层的第一通孔和第二通孔，所述第二通孔和所述第一通孔相连通，设置在所述第一通孔内沿着垂直衬底方向延伸且贯穿不同层的半导体层和背栅电极，其中，所述半导体层环绕所述背栅电极的侧壁，所述半导体层包括多个间隔设置的第一半导体子层和位于相邻的第一半导体子层之间的第二半导体子层，所述第一半导体子层与所述第二半导体子层连接形成一体式结构； 字线，设置在所述第二通孔内且贯穿所述不同层沿着垂直衬底方向延伸，其中，所述字线与所述第一半导体子层沿平行于所述衬底方向的距离小于所述字线与所述第二半导体子层沿平行于衬底方向的距离； 所述晶体管包括所述第一半导体子层和第一栅电极，所述晶体管的所述第一栅电极为所述字线的一部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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