上海谙邦半导体设备有限公司沈康获国家专利权
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龙图腾网获悉上海谙邦半导体设备有限公司申请的专利等离子过滤装置及过滤方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117612917B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311423226.8，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子过滤装置及过滤方法是由沈康;涂乐义;吴磊;梁洁设计研发完成，并于2023-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子过滤装置及过滤方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种等离子过滤装置及过滤方法，等离子过滤装置，包括：向上的第一等离子体通路和位于等离子过滤装置本体内的与第一等离子体通路连接的向下的第二等离子体通路，第一等离子体通路包括侧壁，等离子体在形成之后先于第一等离子体通路内向上扩散再于第二等离子体通路内向下流。上述等离子过滤装置，当等离子体在第一等离子体通路内向上扩散时，部分等离子体与第一等离子体通路的侧壁碰灭被过滤去除，降低了等离子体密度，能够减轻对基底的损伤。
本发明授权等离子过滤装置及过滤方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子过滤装置，其特征在于，包括： 向上的第一等离子体通路和位于等离子过滤装置本体内的与所述第一等离子体通路连接的向下的第二等离子体通路，所述第一等离子体通路包括侧壁，所述侧壁的顶部高于所述侧壁的底部，所述第一等离子体通路的外侧包括等离子体激发模块，所述第一等离子体通路的顶端高于所述等离子体激发模块，等离子体在所述第一等离子体通路的内部受所述等离子体激发模块激发形成之后先于所述第一等离子体通路内沿着所述第一等离子体通路向上流再于所述第二等离子体通路内向下流； 所述第一等离子体通路的下端设置有进气口，从所述进气口进入的气体在所述第一等离子体通路内被激发形成等离子体，所述进气口的数量包括若干个，若干所述进气口呈中心对称分布于所述第二等离子体通路外周，所述进气口方向水平指向所述第二等离子体通路的中心轴或者所述进气口方向与从所述进气口位置水平指向所述第二等离子体通路中心轴的方向之间的夹角大于0度小于等于90度。
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