长鑫科技集团股份有限公司张家瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855164B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311343408.4，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器是由张家瑞设计研发完成，并于2023-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器，在存储芯片中，4个第一传输结构关于第一轴线及第二轴线对称；每一以第二传输结构组中的4个第二传输结构关于第一轴线及第二轴线对称；存储芯片从每一第一传输结构接收1个第一标识信号，并基于4个第一标识信号产生芯片位置识别码；存储芯片从每一第二传输结构组接收1个第二标识信号，并基于B个第二标识信号产生堆叠位置识别码。
本发明授权一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储芯片，其特征在于，所述存储芯片的顶表面具有第一轴线和第二轴线，所述第一轴线和所述第二轴线垂直交于所述顶表面的中心，所述第一轴线和所述顶表面的一边缘平行，所述第二轴线和所述顶表面的另一边缘平行； 所述存储芯片包括4个第一传输结构和B个第二传输结构组，B为自然数； 4个所述第一传输结构关于所述第一轴线对称，且4个所述第一传输结构关于所述第二轴线对称； 针对每一所述第二传输结构组，其包括4个第二传输结构，4个所述第二传输结构关于第一轴线对称，且4个所述第二传输结构关于第二轴线对称； 所述存储芯片从每一所述第一传输结构接收1个第一标识信号，并基于4个所述第一标识信号产生芯片位置识别码；同一所述第二传输结构组中的4个所述第二传输结构所传输的信号电平相同，所述存储芯片从每一所述第二传输结构组接收1个第二标识信号，并基于B个所述第二标识信号产生堆叠位置识别码； 其中，所述存储芯片根据所述堆叠位置识别码和所述芯片位置识别码确定自身在所属芯片堆叠结构中的位置编号。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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