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中国科学院理化技术研究所安振国获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院理化技术研究所申请的专利一种兼具低热导率和低发射率的中空微球及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119505570B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311067860.2,技术领域涉及:C09C1/00;该发明授权一种兼具低热导率和低发射率的中空微球及其制备方法和应用是由安振国;袁静;张敬杰设计研发完成,并于2023-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

一种兼具低热导率和低发射率的中空微球及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明公开一种兼具低热导率和低发射率的中空微球及其制备方法和应用。所述中空微球的结构中包含中空内核,以及由内而外依次设置的玻璃球壳层、多孔氧化硅层和金属层;其中,所述金属层由若干相互物理隔离的金属区域组成。该中空微球兼具了低密度、高的力学稳定性、低热导率和低发射率,具有好的热传导和热辐射传热的协同控制能力。

本发明授权一种兼具低热导率和低发射率的中空微球及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种兼具低热导率和低发射率的中空微球,其特征在于,所述中空微球的结构中包含中空内核,以及由内而外依次设置的玻璃球壳层、多孔氧化硅层和金属层; 其中,所述金属层由若干相互物理隔离的金属区域组成; 所述金属层的金属覆盖率为30-70%; 所述金属区域由金属镍、钴、铁、铜和银中的一种或几种组成; 按质量百分含量计,所述中空微球中,包含45-80wt%的玻璃球壳层、10-35wt%的多孔氧化硅层和10-35wt%的金属层; 所述中空微球的密度为0.25-0.9gcm3,平均直径为15-80μm,比表面积为50-200m2g; 所述多孔氧化硅层的材质为多孔二氧化硅,该多孔二氧化硅的孔隙率为59.8%,平均孔径为2.7nm; 所述中空微球的制备方法包括如下步骤: 在玻璃中空微球表面组装多孔氧化硅前驱体,得微球A; 在微球A表面包覆金属前驱体,得微球B; 将微球B在还原气氛中进行热处理,得到所述中空微球; 所述在玻璃中空微球表面组装多孔氧化硅前驱体得到微球A的方法包括如下步骤: 将玻璃中空微球与处理液A混合后,再加入正硅酸乙酯和无水乙醇的混合溶液,再于室温反应20-60min,得到所述微球A; 其中,所述处理液A由1-3g十六烷基三甲基溴化铵、50-100mL水、60-120mL无水乙醇、8-15mL浓氨水和0.02-0.05g氯化钠混合组成; 所述玻璃中空微球与处理液A中十六烷基三甲基溴化铵的质量比为2:1; 所述处理液A中的水与正硅酸乙酯和无水乙醇的体积比为80:2-10:10-25。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院理化技术研究所,其通讯地址为:100190 北京市海淀区中关村东路29号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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