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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119497368B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311032591.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备是由李庚霏;李辉辉;董博闻;胡琪;王桂磊;赵超设计研发完成，并于2023-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括：在所述存储单元区域的堆叠结构中形成沿着垂直于衬底方向延伸的孔洞，所述孔洞的侧壁露出所述堆叠结构中的导电薄膜和第一绝缘薄膜；导电薄膜上的所述孔洞位于所述导电薄膜内；以所述导电薄膜上的所述孔洞为掩模，对所述孔洞的第一绝缘薄膜进行横向刻蚀，直到位于所述第一绝缘薄膜的孔洞露出的第二绝缘薄膜，在所述孔洞内横向刻蚀所述第二绝缘薄膜；第二绝缘薄膜中对应所述第二凹槽的槽底与位于所述导电薄膜的孔洞侧壁露出的第二绝缘薄膜的侧壁之间形成台阶状。

本发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底上依次交替沉积第一绝缘薄膜和导电薄膜，形成堆叠结构；所述导电薄膜的材料包含多晶硅； 通过图案化刻蚀形成多个贯通所述堆叠结构的第一凹槽，相邻第一凹槽之间的区域为存储单元区域； 在所述第一凹槽内填充第二绝缘薄膜，所述第二绝缘薄膜覆盖各第一凹槽露出的导电薄膜和第一绝缘薄膜的侧壁；所述第二绝缘薄膜的材料不同于所述第一绝缘薄膜的材料； 在所述存储单元区域的堆叠结构中形成沿着垂直于衬底方向延伸的孔洞，所述孔洞的侧壁露出所述堆叠结构中的导电薄膜和第一绝缘薄膜；导电薄膜上的所述孔洞位于所述导电薄膜内； 以所述导电薄膜上的所述孔洞为掩模，对所述孔洞的第一绝缘薄膜进行横向刻蚀，直到位于所述第一绝缘薄膜的孔洞露出的第二绝缘薄膜，在所述孔洞内横向刻蚀所述第二绝缘薄膜，形成相邻两个所述导电薄膜之间的第二凹槽； 形成所述第二凹槽后对所述导电薄膜进行横向刻蚀，使所述导电薄膜形成第一电极和第二电极，露出第二绝缘薄膜； 第二绝缘薄膜中对应所述第二凹槽的槽底与位于所述导电薄膜的孔洞侧壁露出的第二绝缘薄膜的侧壁之间形成台阶状； 在所述孔洞中依次形成半导体层、栅极绝缘层和栅电极； 去除各相邻两个所述导电薄膜之间的寄生半导体层。

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