北京超弦存储器研究院金美晨获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利存储单元以及包含其的存储器、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119497370B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311034230.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储单元以及包含其的存储器、电子设备是由金美晨;李相惇;康卜文;朱正勇设计研发完成，并于2023-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元以及包含其的存储器、电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种存储单元以及包含其的存储器和电子设备。该存储单元包括读晶体管和写晶体管；读晶体管包括具有垂直延伸的第一部分和水平延伸的第二部分的第一栅极、环绕第一部分的侧壁的第一半导体层以及环绕第一半导体层且沿着垂直方向从下到上排列的第一电极层、第一绝缘层以及第二电极层；写晶体管包括具有垂直延伸的第三部分和水平延伸的第四部分的第二栅极、环绕第三部分的侧壁的第二半导体层以及环绕第二半导体层且沿着垂直方向从下到上排列的第三电极层、第三绝缘层以及第四电极层；第二部分与第二电极层在垂直方向上具有小于第四部分与第四电极层之间的第二距离的第一距离。本申请的器件架构提高了存储节点的电容。
本发明授权存储单元以及包含其的存储器、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括读晶体管和位于所述读晶体管之上的写晶体管； 所述读晶体管包括具有垂直延伸的第一部分和水平延伸的第二部分的第一栅极、环绕所述第一部分的侧壁的第一半导体层以及环绕所述第一半导体层且沿着垂直方向从下到上排列的第一电极层、第一绝缘层以及第二电极层； 所述写晶体管包括具有垂直延伸的第三部分和水平延伸的第四部分的第二栅极、环绕所述第三部分的侧壁的第二半导体层以及环绕所述第二半导体层且沿着所述垂直方向从下到上排列的第三电极层、第三绝缘层以及第四电极层； 所述第一栅极与所述第三电极层电连接； 所述第二电极层与位于所述第二电极层之上的所述第二部分与之间在所述垂直方向上具有第一距离，所述第四电极层与位于所述第四电极层之上的所述第四部分之间在所述垂直方向上具有第二距离，所述第一距离小于所述第二距离。
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