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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种宽阻带有效抑制TE201模式基片集成波导滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116759774B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310981557.7，技术领域涉及：H01P1/212；该发明授权一种宽阻带有效抑制TE201模式基片集成波导滤波器是由高鸾凤;杨雨凡;胡玉禄;李斌;朱世龙;袁海鹰设计研发完成，并于2023-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽阻带有效抑制TE201模式基片集成波导滤波器在说明书摘要公布了：本发明涉及滤波器领域，具体为一种宽阻带有效抑制TE201模式基片集成波导滤波器。本发明基于基片集成波导，用136个贯穿介质基片和上下金属层的金属化通孔分隔构建均为正方形的五个谐振腔，并采取直角型排腔的方式分布，相邻谐振腔以感性槽耦合的方式耦合，从高次模在腔体间的传播上进行抑制，有效抑制了高次模谐振频率尤其是TE201模谐振频率，从而提升其宽阻带的性能。并且，由于采用了直角型排腔方式使得整体滤波器结构紧凑，缩小了滤波器尺寸使得印刷简易。本发明还采用阶梯式变阻抗馈电结构的输入结构，在输入端抑制高次模的激励，尤其是抑制了TE201模的激励，进而实现对带外抑制的改善，提升了滤波器的性能。

本发明授权一种宽阻带有效抑制TE201模式基片集成波导滤波器在权利要求书中公布了：1.一种宽阻带有效抑制TE201模式基片集成波导滤波器，包括SIW本体和阶梯式变阻抗馈电结构，其特征在于： 所述SIW本体设有136个金属化通孔，所有金属化通孔均贯穿介质基片和上下金属层；通过136个金属化通孔分隔构建均为正方形的第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔和第五谐振腔，共计5个谐振腔； 其中，第一谐振腔、第二谐振腔、第四谐振腔和第五谐振腔呈田字形分布，第一谐振腔与第二谐振腔和第四谐振腔分别相邻，第五谐振腔与第二谐振腔和第四谐振腔分别相邻，第一谐振腔与第五谐振腔无公共边有公共顶点；第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔呈一字型依次排布，第一谐振腔和第二谐振腔相邻，第二谐振腔和第三谐振腔相邻； 相邻两个谐振腔以感性槽耦合的方式耦合，感性槽居中设置于相邻谐振腔的公共边； 所述阶梯式变阻抗馈电结构有两个，分别作为输入端和输出端；以第一谐振腔至第三谐振腔所处方向为基准，输入端居中设置于第一谐振腔在该方向上的左侧边，输出端居中设置于第三谐振腔在该方向上的右侧边； 阶梯式变阻抗馈电结构分为馈电基板和内部馈电结构两部分，内部馈电结构适应性居中的位于馈电基板内，两者外沿线之间镂空；从外到内馈电基板分为依次阶梯状变窄的两段矩形，从外到内内部馈电结构分为依次阶梯状变窄的三段矩形。

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