长鑫科技集团股份有限公司宛强获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486103B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310989750.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由宛强设计研发完成，并于2023-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供基底；于基底上形成模具叠层结构，模具叠层结构包括沿远离基底方向交替层叠的多层模具层和多层支撑层，以及沿远离基底方向层叠位于顶层支撑层上方的第一牺牲层和第二牺牲层；其中，第一牺牲层和第二牺牲层、支撑层的刻蚀选择比均不同；图形化模具叠层结构，形成网格图案；去除第二牺牲层；于网格图案内形成导电结构；去除第一牺牲层，暴露出导电结构的头部；形成覆盖导电结构的头部及顶层支撑层的补充支撑层；图形化补充支撑层及各支撑层，并去除各模具层，形成支撑结构。能够避免结构畸变，提升器件性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于， 包括： 提供基底； 于所述基底上形成模具叠层结构，所述模具叠层结构包括沿远离所述基底方向交替层叠的多层模具层和多层支撑层，以及沿远离所述基底方向层叠位于顶层所述支撑层上方的第一牺牲层和第二牺牲层；其中，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层、所述支撑层的刻蚀选择比均不同； 图形化所述模具叠层结构，形成网格图案； 去除所述第二牺牲层； 于所述网格图案内形成导电结构； 去除所述第一牺牲层，暴露出所述导电结构的头部； 形成覆盖所述导电结构的头部及顶层所述支撑层的补充支撑层； 图形化所述补充支撑层及各所述支撑层，并去除各所述模具层，形成支撑结构； 其中，顶层所述支撑层的厚度小于次顶层所述支撑层的厚度； 顶层所述支撑层和所述第一牺牲层的厚度之和大于或等于次顶层所述支撑层的厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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