长鑫科技集团股份有限公司常庆环获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486106B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310989886.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构的制作方法是由常庆环;游加加设计研发完成，并于2023-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底，基底上形成有含碳掩膜层；在含碳掩膜层上形成初始掩膜层，初始掩膜层内有多个第一开口；在初始掩膜层顶面上形成含碳牺牲层，含碳牺牲层有多个第二开口，第二开口暴露初始掩膜层的部分顶面；以含碳牺牲层为掩膜，沿第二开口刻蚀初始掩膜层，以在初始掩膜层内形成贯穿初始掩膜层后的第三开口，剩余初始掩膜层作为掩膜层；在同一刻蚀工艺中，沿第三开口刻蚀含碳掩膜层，且在刻蚀工艺期间含碳牺牲层被去除，以露出第一开口，并沿第一开口刻蚀含碳掩膜层，直至在含碳掩膜层内形成贯穿含碳掩膜层的目标开口，可以简化整个半导体结构的制作方法的流程。
本发明授权一种半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上形成有含碳掩膜层； 在所述含碳掩膜层上形成初始掩膜层，所述初始掩膜层内具有贯穿所述初始掩膜层厚度且间隔排布的多个第一开口； 在所述初始掩膜层顶面上形成含碳牺牲层，所述含碳牺牲层填充满所述第一开口，所述含碳牺牲层内具有贯穿位于所述初始掩膜层顶面上的所述含碳牺牲层的厚度的多个第二开口，所述第二开口暴露所述初始掩膜层的部分顶面； 以所述含碳牺牲层为掩膜，沿所述第二开口刻蚀所述初始掩膜层，以在所述初始掩膜层内形成贯穿所述初始掩膜层后的第三开口，剩余所述初始掩膜层作为掩膜层； 在同一刻蚀工艺中，沿所述第三开口刻蚀所述含碳掩膜层，且在所述刻蚀工艺期间所述含碳牺牲层被去除，以露出所述第一开口，并沿所述第一开口刻蚀所述含碳掩膜层，直至在所述含碳掩膜层内形成贯穿所述含碳掩膜层的目标开口。
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