长鑫科技集团股份有限公司李泽伦获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利晶体管结构及其形成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119486213B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310973397.1,技术领域涉及:H10D30/67;该发明授权晶体管结构及其形成方法是由李泽伦设计研发完成,并于2023-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管结构及其形成方法在说明书摘要公布了:本公开涉及一种晶体管结构及其形成方法。所述晶体管结构包括:第一介质层,所述第一介质层中包括钝化氧空位;有源层,位于所述第一介质层的表面,且所述有源层包括沟道区、以及位于所述沟道区外侧的源漏区;栅极层,位于所述沟道区背离所述第一介质层的一侧;阻挡层,位于所述第一介质层与所述源漏区之间,所述阻挡层用于阻挡氧气进入所述源漏区。本公开使得晶体管结构的阈值电压正移,还能减小所述晶体管结构的亚阈值摆幅,从而提高所述晶体管结构的响应速度,并避免RC延时增加。
本发明授权晶体管结构及其形成方法在权利要求书中公布了:1.一种晶体管结构,其特征在于,包括: 第一介质层,所述第一介质层中包括钝化氧空位; 有源层,位于所述第一介质层的表面,且所述有源层包括沟道区、以及位于所述沟道区外侧的源漏区; 栅极层,位于所述沟道区背离所述第一介质层的一侧; 阻挡层,位于所述第一介质层与所述源漏区之间,所述阻挡层用于阻挡氧气进入所述源漏区。
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