长鑫科技集团股份有限公司朱文生获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421406B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310934848.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由朱文生;吕嘉伟;刘海龙;许奕佳;钱红云设计研发完成，并于2023-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，该形成方法包括：提供基底，基底包括沿第一方向依次排布的阵列区、引出区和外围区；阵列区和引出区包括沿第一方向延伸且沿第二方向排布的多个字线沟槽；第一方向和第二方向相交且均与基底的厚度方向垂直；在每个字线沟槽中形成导电结构；导电结构的顶面低于外围区的顶面；形成至少覆盖导电结构和外围区的阻挡层；执行第一刻蚀，去除位于阵列区正上方的部分阻挡层；执行第二刻蚀，去除位于阵列区正上方的剩余的阻挡层和位于引出区正上方的部分阻挡层。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括沿第一方向依次排布的阵列区、引出区和外围区；所述阵列区和所述引出区包括沿所述第一方向延伸且沿第二方向排布的多个字线沟槽；所述第一方向和所述第二方向相交且均与所述基底的厚度方向垂直； 在每个所述字线沟槽中形成导电结构；所述导电结构的顶面低于所述外围区的顶面； 形成至少覆盖所述导电结构和所述外围区的阻挡层； 执行第一刻蚀，去除位于所述阵列区正上方的部分所述阻挡层； 执行第二刻蚀，去除位于所述阵列区正上方的剩余的所述阻挡层和位于所述引出区正上方的部分所述阻挡层； 其中，所述执行第二刻蚀，包括： 去除位于所述外围区正上方的所述阻挡层，且位于所述引出区正上方的剩余的所述阻挡层的顶面与所述外围区的顶面齐平。
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