长鑫科技集团股份有限公司崔振东获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451214B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310948390.4，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其制备方法是由崔振东设计研发完成，并于2023-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底，包括衬底以及位于衬底内的沟槽隔离结构，沟槽隔离结构在衬底内限定出多个间隔设置的有源区；晶体管，晶体管包括位于有源区上的栅极结构和在第一方向上位于栅极结构至少一侧的第一掺杂区，第一掺杂区为有源区内的掺杂区；介质层，覆盖沟槽隔离结构以及第一掺杂区；第一接触结构，在基底上的正投影在第一方向上跨越第一掺杂区与沟槽隔离结构，且贯穿介质层并延伸至沟槽隔离结构内而与第一掺杂区的顶面以及侧壁连接。本发明扩大了第一接触结构与栅极结构之间的距离，从而降低了制备第一接触结构的工艺难度。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括衬底以及位于所述衬底内的沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构在所述衬底内限定出多个间隔设置的有源区； 晶体管，所述晶体管包括位于所述有源区上的栅极结构和在第一方向上位于所述栅极结构至少一侧的第一掺杂区，所述第一掺杂区为所述有源区内的掺杂区； 介质层，覆盖所述沟槽隔离结构以及所述第一掺杂区； 第一接触结构，在所述基底上的正投影在第一方向上跨越所述第一掺杂区与所述沟槽隔离结构，且贯穿所述介质层并延伸至所述沟槽隔离结构内； 其中，位于同一所述沟槽隔离结构在所述第一方向上的两侧的相邻两个所述有源区中，彼此靠近的第一掺杂区对应的所述第一接触结构在沿第二方向延伸的直线上的正投影不交叠，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第二方向和所述第一方向均平行于所述基底的主表面。
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