西安邮电大学任卫获国家专利权
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龙图腾网获悉西安邮电大学申请的专利一种具有自组装孔洞结构掺铟β相氧化镓薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116855899B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310919979.1，技术领域涉及：C23C14/30；该发明授权一种具有自组装孔洞结构掺铟β相氧化镓薄膜的制备方法是由任卫;李雪梅;周倩;夏军波;徐通;张林基设计研发完成，并于2023-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有自组装孔洞结构掺铟β相氧化镓薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体薄膜材料制备领域，具体公开了一种具有自组装孔洞结构掺铟β相氧化镓薄膜的制备方法，本发明首先使用电子束蒸发镀膜机以氧化镓和氧化铟颗粒为蒸发料在衬底上进行蒸发镀膜，按照氧化镓‑氧化铟‑氧化镓的蒸镀顺序形成“三明治结构”，然后通过在氮气氛围中控制薄膜的退火温度，得到孔洞尺寸与密度不同的β相氧化镓薄膜，所得到的具有自组装孔洞结构的掺铟β相氧化镓薄膜结晶度高、成膜质量好且光学性能优异。
本发明授权一种具有自组装孔洞结构掺铟β相氧化镓薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有自组装孔洞结构掺铟β相氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于：按照以下步骤进行： 步骤1）将蒸发料分别置于不同的水冷坩埚中，蒸发料包括氧化镓和氧化铟颗粒； 步骤2）将衬底用超声波清洗机分别在丙酮、乙醇及去离子水中清洗15-20分钟，并用洗耳球将衬底表面吹干后放置到真空腔室的样品架上； 步骤3）开启抽真空系统，将真空腔室气压抽至5×10-3Pa以下； 步骤4）打开电子枪电源，在真空条件下在衬底上依序进行电子束蒸发镀膜，蒸镀顺序为氧化镓、氧化铟和氧化镓，得到“三明治结构”的初级膜； 步骤5）关闭电子枪，随炉自然冷却至室温后取出初级膜； 步骤6）将初级膜在氮气氛围中退火，得到具有自组装孔洞结构的掺铟β相氧化镓薄膜，初级膜的退火温度为800~1200℃，退火时间为30~120min，由室温升温得到，升温速率为5℃min。
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