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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119381340B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310904324.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其制造方法是由王沛萌;郗宁设计研发完成，并于2023-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：提供包括衬底、扩散阻挡膜和导电膜的基底；在导电膜远离衬底的一侧形成具有多个开口的掩膜层；以掩膜层为掩膜对基底进行图形化处理，剩余扩散阻挡膜包括多个相互间隔的第一扩散阻挡层，剩余导电膜包括多个相互间隔的导电层，一第一扩散阻挡层和位于该扩散阻挡层上的一导电层构成一导电柱，相邻导电柱之间具有凹槽；去除掩膜层，凹槽中具有残留物；对露出的导电层的表面进行氮化处理，以在导电层的表面形成氮化物层；对凹槽的表面进行清洗处理，以去除残留物，清洗处理对残留物的刻蚀速率大于对氮化物层的刻蚀速率。本公开实施例至少有利于提高导电柱的电学性能。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构包括阵列区和过渡区，所述制造方法包括： 提供基底，所述基底横跨沿第一方向依次排列的所述阵列区和所述过渡区； 所述基底包括：衬底，所述阵列区的所述衬底中具有自所述衬底顶面延伸至所述衬底内的第一接触孔，所述过渡区的所述衬底中具有自所述衬底顶面延伸至所述衬底内的第二接触孔，所述第一接触孔的孔深大于所述第二接触孔的孔深；扩散阻挡膜，保形覆盖所述第一接触孔和所述第二接触孔的内壁，以及位于所述衬底顶面；导电膜，填充满所述第一接触孔和所述第二接触孔，且位于所述扩散阻挡膜远离所述衬底顶面的第一顶面； 在所述导电膜远离所述衬底的一侧形成具有多个开口的掩膜层； 以所述掩膜层为掩膜对所述基底进行图形化处理，剩余所述扩散阻挡膜包括多个相互间隔的第一扩散阻挡层，剩余所述导电膜包括多个相互间隔的导电层，一所述第一扩散阻挡层和位于该第一扩散阻挡层上的一所述导电层构成一导电柱，相邻所述导电柱之间具有凹槽； 去除所述掩膜层，所述凹槽中具有残留物； 对露出的所述导电层的表面进行氮化处理，以在所述导电层的表面形成氮化物层； 对所述凹槽的表面进行清洗处理，以去除所述残留物，所述清洗处理对所述残留物的刻蚀速率大于对所述氮化物层的刻蚀速率。

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