长鑫科技集团股份有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119383954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310913793.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其形成方法是由唐怡设计研发完成，并于2023-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体器件及形成方法，其中，所述半导体器件包括：衬底；位于衬底上的、沿第一方向排布的半导体单元，半导体单元包括沿第二方向依次设置的第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管至少包括第一栅极结构、L型的第一沟道和第一源漏极；第二晶体管至少包括第二栅极结构；第二栅极结构与第一源漏极连接；第一沟道与第一栅极结构的相邻两个侧壁相接触；第一方向与第二方向相交、且位于衬底所在的平面内。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底上的、沿第一方向排布的半导体单元，所述半导体单元包括沿第二方向依次设置的第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管至少包括第一栅极结构、L型的第一沟道和第一源漏极；所述第二晶体管至少包括第二栅极结构；所述第二栅极结构与所述第一源漏极连接；所述第一沟道与所述第一栅极结构的相邻两个侧壁相接触； 所述第一方向与所述第二方向相交、且位于所述衬底所在的平面内。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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