长鑫科技集团股份有限公司王森获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119381339B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310899890.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王森;吴小鹏;吕晖设计研发完成，并于2023-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供衬底，衬底包括阵列区和标记区；在衬底的表面上形成叠层结构，叠层结构在沿远离衬底方向上包括第一阻隔层和第一半导体层；在叠层结构的表面上形成第二阻隔层，第二阻隔层包括氮元素和硅元素；刻蚀叠层结构，以同时在阵列区形成接触孔以及在标记区形成对准标记，其中，接触孔贯穿第二阻隔层和叠层结构并延伸至衬底内部，以露出衬底中的有源区。本公开通过在对准标记内形成第二阻隔层，且第二阻隔层包括氮元素和硅元素，通过第二阻隔层的抗腐蚀作用，在对结构进行湿法蚀刻时，避免了对准标记中的膜层遭到破坏，从而影响对准标记的对准精度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括阵列区和标记区； 在所述衬底的表面上形成叠层结构，所述叠层结构在沿远离所述衬底方向上包括第一阻隔层和第一半导体层； 在所述叠层结构的表面上形成第二阻隔层，所述第二阻隔层包括氮元素和硅元素； 刻蚀所述叠层结构，以同时在所述阵列区形成接触孔以及在所述标记区形成对准标记，其中，所述接触孔贯穿所述第二阻隔层和所述叠层结构并延伸至所述衬底内部，以露出所述衬底中的有源区； 其中，所述接触孔与所述对准标记的底部具有损伤层，去除所述损伤层，所述方法包括： 在所述第二阻隔层的表面、所述接触孔内以及所述对准标记内随形形成保护层； 去除部分所述保护层，以露出所述损伤层以及所述第二阻隔层的表面； 采用湿法蚀刻去除所述损伤层。
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