长鑫科技集团股份有限公司廖昱程获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利存储器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119383983B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310894273.4，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权存储器及其形成方法是由廖昱程;蒋懿设计研发完成，并于2023-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种存储器及其形成方法，其中，所述存储器包括：衬底，所述衬底包括至少一个沿第一方向延伸的半导体柱；所述半导体柱包括沿所述第一方向依序布置的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区；所述第一方向垂直于所述衬底的厚度方向；栅极结构，覆盖所述沟道区的顶面以及沿第二方向相对的两侧壁；所述第二方向与所述第一方向以及所述衬底的厚度方向均垂直；相变存储单元，与所述第一掺杂区连接。
本发明授权存储器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括至少一个沿第一方向延伸的半导体柱；所述半导体柱包括沿所述第一方向依序布置的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区；所述第一方向垂直于所述衬底的厚度方向； 栅极结构，覆盖所述沟道区的顶面以及沿第二方向相对的两侧壁；所述第二方向与所述第一方向以及所述衬底的厚度方向均垂直； 相变存储单元，与所述第一掺杂区连接，所述相变存储单元包括：第一电极、相变存储层、第二电极， 所述第一电极与所述第一掺杂区连接，所述相变存储层位于所述第一电极上，所述第二电极覆盖所述相变存储层的顶面以及部分侧壁; 第一隔热层；所述第一隔热层包括第一部分以及位于所述第一部分上的第二部分，所述第一部分覆盖所述第一电极的侧壁，所述第二部分覆盖所述相变存储层未被所述第二电极覆盖的侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫科技集团股份有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励