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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119383948B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310885414.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由黄猛设计研发完成，并于2023-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，方法包括：在基底上形成层叠结构；图形化层叠结构，以形成字线槽；在字线槽内形成半导体层和字线；形成字线隔离槽，字线隔离槽将字线分隔为第一字线和第二字线，且将半导体层分隔为第一半导体层和第二半导体层；图形化层叠结构，以形成电容槽；填充电容槽以形成电容结构，电容结构包括上电极板、上电极层、介质层、下电极层；形成电容隔离槽，电容隔离槽至少将下电极层分隔为第一下电极层和第二下电极层；形成位线，位线位于字线槽远离电容槽的一侧。本公开实施例提供的半导体结构及其制造方法，至少有利于提高半导体结构的集成密度。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成层叠结构，所述层叠结构包括交替层叠的支撑层和牺牲层； 图形化所述层叠结构，以形成字线槽； 基于所述字线槽，沿第一方向和第二方向刻蚀部分所述牺牲层； 形成半导体层，所述半导体层覆盖所述字线槽的内壁； 沿第三方向去除所述支撑层朝向所述字线槽表面的部分所述半导体层； 形成字线，所述字线填充剩余的所述字线槽； 形成字线隔离槽，所述字线隔离槽沿所述第一方向延伸，所述字线隔离槽将所述字线分隔为第一字线和第二字线，且将所述半导体层分隔为第一半导体层和第二半导体层； 图形化所述层叠结构，以形成电容槽； 填充所述电容槽以形成电容结构，所述电容结构包括上电极板、上电极层、介质层、下电极层，所述下电极层覆盖所述电容槽的内壁，所述介质层覆盖所述下电极层的内壁，所述上电极层覆盖所述介质层的内壁，所述上电极板填充剩余的所述电容槽； 形成电容隔离槽，所述电容隔离槽沿所述第一方向延伸，至少将所述下电极层分隔为第一下电极层和第二下电极层，所述第一下电极层用于与所述第一半导体层电连接，所述第二下电极层用于与所述第二半导体层电连接； 形成位线，所述位线位于所述字线槽远离所述电容槽的一侧，且沿所述第二方向延伸，所述位线用于与所述第一半导体层和所述第二半导体层电连接。

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