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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364755B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310876451.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由黄猛设计研发完成，并于2023-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，结构包括：字线，字线沿第三方向延伸；半导体层，半导体层沿第一方向环绕字线的侧壁；位线，位线位于字线沿第一方向的一侧，且位线沿第二方向延伸，第一方向与第二方向不同，位线与半导体层远离字线的表面接触；电容，电容位于字线沿第一方向的另一侧，电容包括依次层叠的下电极层、介质层和上电极层，下电极层沿第一方向延伸，下电极层沿第一方向远离字线的一侧表面向指向字线的方向凹陷或者向远离字线的方向凸起，介质层覆盖下电极层的部分表面，上电极层覆盖介质层远离下电极层的表面。本公开实施例提供的半导体结构及其制造方法，至少有利于提高半导体结构的稳定性。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成层叠结构，所述层叠结构包括交替层叠的第一牺牲层和第二牺牲层； 图形化所述层叠结构，以形成字线槽； 形成半导体层，所述半导体层覆盖所述字线槽的内壁； 填充剩余的所述字线槽以形成字线，所述字线沿第三方向延伸，所述半导体层沿第一方向环绕所述字线的侧壁； 去除位于所述字线槽沿第一方向一侧的所述第二牺牲层，以形成位线槽，所述位线槽沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向不同； 填充所述位线槽以形成位线，所述位线与所述半导体层远离所述字线的表面接触； 去除位于所述字线槽沿所述第一方向另一侧的所述第二牺牲层，以形成下电极槽； 填充所述下电极槽以形成下电极层，所述下电极层沿所述第一方向延伸，所述下电极层沿所述第一方向远离所述字线槽的一侧表面向指向所述字线槽的方向凹陷或者向远离所述字线槽的方向凸起； 形成介质层，所述介质层覆盖所述下电极层的部分表面； 形成上电极层，所述上电极层覆盖所述介质层远离所述下电极层的表面，所述下电极层、所述介质层和所述上电极层构成电容。

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