买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277767B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310819045.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备是由刘健;关超阳;金娇;韩宝东;罗东设计研发完成，并于2023-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种3D堆叠的半导体器件及其制造方法和电子设备，所述制造方法包括：在衬底上依次交替沉积第一绝缘层和导电层，得到堆叠结构；在堆叠结构中刻蚀形成沿着平行于衬底的第一方向延伸的第一沟槽和沿着平行于衬底的第二方向延伸的第二沟槽；在衬底上依次沉积覆盖第一沟槽的内壁和第二沟槽的内壁的第一阻挡层和第一隔离层；在第一沟槽中填满第一绝缘材料；在衬底上沉积覆盖第二沟槽的内壁的第二隔离层；在衬底上沉积填满第二沟槽的第二阻挡层，得到位于第二沟槽中的隔离层，隔离层包括第二隔离层和第二阻挡层；在相同的刻蚀条件下，第二隔离层与第二阻挡层的刻蚀选择比不同。本申请实施例的制造方法制得的3D堆叠的半导体器件的结构稳定性较好。

本发明授权3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种3D堆叠的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述3D堆叠的半导体器件包括：沿着垂直于衬底的方向堆叠分布的不同层存储单元，以及沿垂直于衬底的方向间隔分布的多条位线；每个存储单元包括晶体管和电容器；位于同一层的相邻两列存储单元与同一条位线连接，沿着垂直于衬底的方向堆叠分布的多条位线连接的不同层的相邻两列存储单元构成一个存储重复单元，相邻两个所述存储重复单元之间通过隔离层相绝缘； 所述制造方法包括： 在衬底上依次交替沉积第一绝缘层和导电层，得到堆叠结构； 沿着朝向所述衬底的方向对所述堆叠结构进行图案化刻蚀，使得在所述堆叠结构中形成沿着平行于所述衬底的第一方向延伸的第一沟槽和沿着平行于所述衬底的第二方向延伸的第二沟槽，所述第一方向与所述第二方向相交叉；所述第一沟槽将每一层所述导电层间隔为所述位线、以及间隔分布于所述位线至少一侧的多个导电部，所述导电部包括所述晶体管的第一电极和第二电极以及所述电容器的第三电极；所述第二沟槽用于间隔相邻两个所述存储重复单元，所述第一沟槽位于相邻两个所述第二沟槽之间； 在衬底上依次沉积至少覆盖所述第一沟槽的内壁和所述第二沟槽的内壁的第一阻挡层和第一隔离层； 在所述第一沟槽中填满形成所述第一绝缘层的第一绝缘材料； 在衬底上沉积覆盖所述第二沟槽的内壁的第二隔离层； 在衬底上沉积填满所述第二沟槽的第二阻挡层，得到位于所述第二沟槽中的隔离层，所述隔离层至少包括所述第二隔离层和所述第二阻挡层； 其中，在相同的刻蚀条件下，所述第一阻挡层与所述第一隔离层的刻蚀选择比不同；在相同的刻蚀条件下，所述第二隔离层与所述第二阻挡层的刻蚀选择比不同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京超弦存储器研究院，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。