长鑫存储技术有限公司尹春山获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种输出驱动电路、阻抗校准电路和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119298893B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310813948.8，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种输出驱动电路、阻抗校准电路和存储器是由尹春山设计研发完成，并于2023-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种输出驱动电路、阻抗校准电路和存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种输出驱动电路、阻抗校准电路和存储器，其中，输出驱动电路包括：上拉主晶体管和下拉主晶体管。上拉主晶体管和下拉主晶体管均为N型MOS管；上拉主晶体管的源极和下拉主晶体管的漏极，均连接于总线；上拉主晶体管的漏极连接电源，上拉主晶体管的栅极接收上拉主控制信号；下拉主晶体管的源极接地，下拉主晶体管的栅极接收下拉主控制信号；上拉主控制信号和下拉主控制信号互为反相；上拉主晶体管的衬底极和源极短接。
本发明授权一种输出驱动电路、阻抗校准电路和存储器在权利要求书中公布了：1.一种输出驱动电路，其特征在于，所述输出驱动电路包括：上拉主晶体管和下拉主晶体管； 所述上拉主晶体管和所述下拉主晶体管均为N型MOS管； 所述上拉主晶体管的源极和所述下拉主晶体管的漏极，均连接于总线； 所述上拉主晶体管的漏极连接电源，所述上拉主晶体管的栅极接收上拉主控制信号；所述下拉主晶体管的源极接地，所述下拉主晶体管的栅极接收下拉主控制信号；所述上拉主控制信号和所述下拉主控制信号互为反相； 所述上拉主晶体管的衬底极和源极短接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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