长鑫存储技术有限公司尹春山获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300344B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310814399.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件结构及其制造方法是由尹春山设计研发完成，并于2023-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件结构及其制造方法，半导体器件结构包括：设置有相互间隔的源极区和漏极区的衬底；设置于衬底上表面的栅极结构；以及分别与源极区和或漏极区接触的多个导电柱；其中，栅极结构包括长度沿第一方向延伸的栅极以及设置于栅极与衬底之间的栅氧化层；源极区和或漏极区具有至少一个凹陷结构，至少一个导电柱设置于凹陷结构内；与源极区或漏极区之一接触的多个导电柱中，相邻两个导电柱与衬底接触的位置在衬底厚度方向上的高度不同。本公开实施例至少有利于降低不同导电柱之间的耦合影响，以及提高半导体器件结构的集成密度。
本发明授权半导体器件结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括： 设置有相互间隔的源极区和漏极区的衬底； 设置于所述衬底上表面的栅极结构； 以及分别与所述源极区和或所述漏极区接触的多个导电柱； 其中，所述栅极结构包括长度沿第一方向延伸的栅极以及设置于所述栅极与所述衬底之间的栅氧化层；所述源极区和或所述漏极区具有至少一个凹陷结构，至少一个所述导电柱设置于所述凹陷结构内；与所述源极区或所述漏极区之一接触的多个所述导电柱中，相邻两个所述导电柱与所述衬底接触的位置在所述衬底厚度方向上的高度不同。
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