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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储单元、存储结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277759B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310778554.3，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权存储单元、存储结构及其制备方法是由唐怡设计研发完成，并于2023-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储单元、存储结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种存储单元、存储结构及其制备方法。其中，存储单元包括：写入晶体管，包括写入字线、写入栅介质层以及写入沟道层，写入字线沿第一方向延伸，写入栅介质层位于写入字线的侧壁，写入沟道层位于写入栅介质层侧壁；共享导线，沿第三方向延伸；第一电极，与共享导线沿第一方向排列，第一电极与共享导线位于写入沟道层的同一侧；读取晶体管，包括读取栅介质层、读取沟道层以及读取位线，读取栅介质层位于共享导线与第一电极之间，且延伸至第一电极的侧壁，读取沟道层包括读取沟道部，读取沟道部位于读取栅介质层的侧壁，且读取沟道部一端连接共享导线，另一端连接读取位线。本公开实施例中可以有效提高存储密度。

本发明授权存储单元、存储结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括： 写入晶体管，包括写入字线、写入栅介质层以及写入沟道层，所述写入字线沿第一方向延伸，所述写入栅介质层位于所述写入字线的在第二方向上的侧壁，所述写入沟道层位于所述写入栅介质层的在第二方向上的侧壁，所述第二方向与所述第一方向相交，所述第一方向和所述第二方向确定的平面为第一平面； 共享导线，沿第三方向延伸，所述第三方向与所述第一平面相交； 第一电极，与所述共享导线沿第一方向排列，在所述第二方向上，所述第一电极与所述共享导线位于所述写入沟道层的远离所述写入栅介质层的同一侧； 读取晶体管，包括读取栅介质层、读取沟道层以及读取位线，所述读取栅介质层位于所述共享导线与所述第一电极之间，且由所述共享导线与所述第一电极之间延伸至所述第一电极沿第一方向上的侧壁以及所述第一电极沿第二方向上的侧壁，所述读取沟道层包括读取沟道部，所述读取沟道部位于所述读取栅介质层的远离所述写入沟道层一侧的侧壁，且所述读取沟道部一端连接所述共享导线，另一端连接所述读取位线。

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