长鑫存储技术有限公司汪锡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件测试方法和存储器测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119229919B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310755696.8，技术领域涉及：G11C11/4063；该发明授权半导体器件测试方法和存储器测试方法是由汪锡设计研发完成，并于2023-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件测试方法和存储器测试方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体器件测试方法和存储器测试方法，其中，半导体器件测试方法包括：对第一类待烧写信息进行至少一次第一烧写流程；对第二类待烧写信息进行至少一次第二烧写流程；第二类待烧写信息与第一类待烧写信息记录的信息类型不同；若第二烧写流程烧写失败，对烧写失败的第二类待烧写信息进行至少一次第三烧写流程；第三烧写流程对应的烧写位置与第二烧写流程对应的烧写位置不同。
本发明授权半导体器件测试方法和存储器测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件测试方法，其特征在于，包括： 对第一类待烧写信息进行至少一次第一烧写流程； 对第二类待烧写信息进行至少一次第二烧写流程；所述第二类待烧写信息与所述第一类待烧写信息记录的信息类型不同； 若所述第二烧写流程烧写失败，对烧写失败的所述第二类待烧写信息进行至少一次第三烧写流程；所述第三烧写流程对应的烧写位置与所述第二烧写流程对应的烧写位置不同； 进行至少一次所述第一烧写流程、第二烧写流程或第三烧写流程中的每一次所述第一烧写流程、第二烧写流程或第三烧写流程，包括： 对相应待烧写信息对应的待烧写编程熔丝单元进行相应的第一烧写操作、第二烧写操作或第三烧写操作； 在所述第一烧写操作、第二烧写操作或第三烧写操作后，对所述对应的待烧写编程熔丝单元进行相应的第一读取操作、第二读取操作或第三读取操作； 根据所述第一读取操作、第二读取操作或第三读取操作对应读取结果，进行相应的第一烧写检查操作、第二烧写检查操作或第三烧写检查操作，以检查读取信息与所述相应待烧写信息是否一致； 所述第一类待烧写信息对应的待烧写编程熔丝单元为固定的编程熔丝单元；所述第二类待烧写信息对应的待烧写编程熔丝单元允许再次分配。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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