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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119173029B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310706540.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由李晓杰设计研发完成，并于2023-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，结构包括：基底，基底包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排列的多个鳍部；隔离层，隔离层位于相邻的鳍部之间，且隔离层的顶面不高于鳍部的顶面；多个叠层结构，叠层结构与鳍部一一对应，每个叠层结构位于相应的鳍部上，叠层结构包括在鳍部上沿第三方向层叠且相间隔的多个有源层，有源层沿第一方向延伸且包括沿第一方向依次排列的源区、沟道区和漏区；多条字线，字线与叠层结构一一对应，且字线沿第三方向延伸且覆盖相应的叠层结构中沟道区的至少一个侧面，字线的底面与隔离层的顶面相接触；介电层，介电层至少覆盖字线远离叠层结构的侧面，其中，介电层的材料为低介电常数材料。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排列的多个鳍部； 隔离层，所述隔离层位于相邻的所述鳍部之间，且所述隔离层的顶面不高于所述鳍部的顶面； 多个叠层结构，所述叠层结构与所述鳍部一一对应，每个所述叠层结构位于相应的所述鳍部上，所述叠层结构包括在所述鳍部上沿第三方向层叠且相间隔的多个有源层，所述有源层沿所述第一方向延伸且包括沿所述第一方向依次排列的源区、沟道区和漏区； 多条字线，所述字线与所述叠层结构一一对应，且所述字线沿所述第三方向延伸且覆盖相应的所述叠层结构中所述沟道区的至少一个侧面，所述字线的底面与所述隔离层的顶面相接触； 介电层，所述介电层至少覆盖所述字线远离所述叠层结构的侧面，其中，所述介电层的材料为低介电常数材料； 其中，所述介电层还延伸至相邻所述叠层结构之间与所述源区沿所述第二方向正对的位置以及与所述漏区沿所述第二方向正对的位置；所述半导体结构还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述鳍部和相应的所述叠层结构之间，且位于所述叠层结构中的相邻的所述有源层之间，还位于所述介电层与所述源区之间，以及位于所述介电层与所述漏区之间。

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