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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119173030B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310706900.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由林超设计研发完成，并于2023-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括：于衬底内形成间隔排布的多个第一沟槽及位于相邻第一沟槽之间的条状结构；于第一沟槽的底面及条状结构的顶面分别沿第二方向交替形成多层第一半导体层和多层第二半导体层，位于第一沟槽上方和层数相同的位于条状结构上方且在第三方向上相邻的第二半导体层在第二方向上错位；形成沿第二方向贯穿各第一半导体层和各第二半导体层的第二沟槽；沿第二方向去除目标区域的各第一半导体层并于目标区域形成包裹各第二半导体层的支撑结构；去除支撑结构沿第一方向一侧的第一半导体层，以使暴露出的第二半导体层构成半导体柱。所述制备方法可以应用于制备存储器以提升所得结构的存储容量。

本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，于所述衬底内形成间隔排布的多个第一沟槽，以及位于相邻所述第一沟槽之间的条状结构；所述第一沟槽沿第一方向延伸； 于所述第一沟槽的底面及所述条状结构的顶面分别沿第二方向交替形成多层第一半导体层和多层第二半导体层；所述第二方向与所述第一方向相交；其中，位于所述第一沟槽上方和层数相同的位于所述条状结构上方且在第三方向上相邻的所述第二半导体层在所述第二方向上错位；所述第三方向与所述第一方向及所述第二方向相交； 形成沿所述第二方向贯穿各所述第一半导体层和各所述第二半导体层的第二沟槽；所述第二沟槽沿所述第一方向延伸，且所述第二沟槽在所述衬底上的正投影与所述第一沟槽、所述条状结构均部分重叠； 沿所述第二方向去除目标区域的各所述第一半导体层，并于所述目标区域形成包裹各所述第二半导体层的支撑结构； 去除所述支撑结构沿所述第一方向一侧的各所述第一半导体层，以使暴露出的各所述第二半导体层构成平行间隔设置的多个半导体柱。

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