北京超弦存储器研究院罗杰获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利存储器及其制造方法、读写方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119132358B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310691252.2，技术领域涉及：G11C11/408；该发明授权存储器及其制造方法、读写方法、电子设备是由罗杰;吕浩昌;韩宝东设计研发完成，并于2023-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其制造方法、读写方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种存储器及其制造方法、读写方法、电子设备，涉及但不限于半导体技术，存储器包括：第一晶体管、第二晶体管和存储节点电极；所述位线依次通过所述第一晶体管和所述第二晶体管与所述存储节点电极串联；所述字线分别与所述第一晶体管和所述第二晶体管电连接；所述第二晶体管为双栅晶体管，包括第一栅极和第二栅极；所述第一栅极与所述字线电连接；所述存储节点电极为所述第二栅极，所述存储节点电极与所述第一栅极电连接；有效减少漏电。
本发明授权存储器及其制造方法、读写方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括：一个或多个设置于衬底上的存储单元，以及位线和字线； 所述存储单元包括：第一晶体管、第二晶体管和存储节点电极； 所述位线依次通过所述第一晶体管和所述第二晶体管与所述存储节点电极串联； 所述字线分别与所述第一晶体管和所述第二晶体管电连接； 所述第二晶体管为双栅晶体管，包括第一栅极和第二栅极；所述第一栅极与所述字线电连接；所述存储节点电极为所述第二栅极，所述存储节点电极与所述第一栅极电连接； 所述存储节点电极为闭环状，或者，所述存储节点电极为具有至少一个开口的环，或者，所述存储节点电极为具有两条沿着平行所述衬底方向延伸的线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京超弦存储器研究院，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街52幢5层501-12；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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