长鑫存储技术有限公司邓杰芳获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储单元、存储结构及存储阵列结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119152901B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310692544.8，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权存储单元、存储结构及存储阵列结构是由邓杰芳设计研发完成，并于2023-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元、存储结构及存储阵列结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种存储单元、存储结构及存储阵列结构。存储单元包括：磁存储器，包括U型磁性跑道，磁性跑道包括第一端及第二端，磁性跑道内设有多个磁畴；垂直晶体管，与U型磁性跑道的第一端相连接；第一选择线，位于垂直晶体管远离U型磁性跑道的一端，与垂直晶体管相连接；第一位线，与U型磁性跑道的第二端相连接；第二位线，位于U型磁性跑道远离第一端及第二端的一侧；磁性隧道结，位于第二位线远离U型磁性跑道的一侧，与第二位线相接触；第二选择线，与磁性隧道结远离第二位线的一端相连接。采用本申请的存储单元能够增大存储密度。
本发明授权存储单元、存储结构及存储阵列结构在权利要求书中公布了：1.一种存储结构，其特征在于，包括：第一存储单元及第二存储单元；其中，所述第一存储单元及所述第二存储单元中的每个存储单元包括： 磁存储器，包括U型磁性跑道，所述磁性跑道包括第一端及第二端，所述磁性跑道内设有多个磁畴； 垂直晶体管，与所述U型磁性跑道的第一端相连接； 第一选择线，位于所述垂直晶体管远离所述U型磁性跑道的一端，与所述垂直晶体管相连接； 第一位线，与所述U型磁性跑道的第二端相连接； 第二位线，位于所述U型磁性跑道远离所述第一端及第二端的一侧； 磁性隧道结，位于所述第二位线远离所述U型磁性跑道的一侧，与所述第二位线相接触； 第二选择线，与所述磁性隧道结远离所述第二位线的一端相连接； 其中，所述第一存储单元与所述第二存储单元共用同一所述第二选择线，所述第一存储单元中的U型磁性跑道的开口方向与所述第二存储单元中的U型磁性跑道的开口方向相反。
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