长鑫存储技术有限公司张家瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种存储芯片、芯片堆叠结构和存储器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119153424B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310680606.3,技术领域涉及:H01L23/48;该发明授权一种存储芯片、芯片堆叠结构和存储器是由张家瑞;丸野诚一设计研发完成,并于2023-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储芯片、芯片堆叠结构和存储器在说明书摘要公布了:本公开提供了一种存储芯片、芯片堆叠结构和存储器,对于存储芯片,第一区域的n个通孔组和第二区域的n个通孔组关于第一轴线对称,第三区域的n个通孔组和第四区域的n个通孔组关于第一轴线对称,第一区域的n个通孔组和第四区域的n个通孔组关于第二轴线对称;对于每一通孔组,第一通孔与第二通孔关于第三轴线对称,第三通孔和第四通孔关于第三轴线对称,第一通孔和第四通孔关于第四轴线对称。
本发明授权一种存储芯片、芯片堆叠结构和存储器在权利要求书中公布了:1.一种存储芯片,其特征在于,所述存储芯片包括沿其有源面呈阵列分布的2×2个区域,每一所述区域均被n个通孔组贯穿,n为自然数; 第一区域的n个通孔组和第二区域的n个通孔组关于第一轴线对称,第三区域的n个通孔组和第四区域的n个通孔组关于所述第一轴线对称,所述第一区域的n个通孔组和所述第四区域的n个通孔组关于第二轴线对称;其中,所述第一轴线和所述第二轴线均位于所述有源面,所述第一轴线和所述第二轴线互相垂直且相交于所述有源面的中心; 对于每一所述通孔组,其包括呈阵列分布的2×2个通孔,第一通孔与第二通孔关于第三轴线对称,第三通孔和第四通孔关于所述第三轴线对称,所述第一通孔和所述第四通孔关于第四轴线对称;其中,所述第三轴线和所述第四轴线均位于所述有源面,且所述第三轴线和所述第四轴线均位于所述有源面上,所述第三轴线和所述第四轴线互相垂直且相交于所述通孔组的中心; 所述第一轴线、每一所述通孔组的所述第三轴线均与所述存储芯片的第一侧边平行,所述第二轴线、每一所述通孔组的所述第四轴线均与所述存储芯片的第二侧边平行。
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