长鑫存储技术有限公司唐怡获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储单元、存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119155988B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310675049.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储单元、存储器及其制备方法是由唐怡设计研发完成，并于2023-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元、存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种存储单元、存储器及其制备方法。所述存储单元，包括写晶体管和读晶体管。写晶体管包括：第一栅极、第一源极、第一漏极以及位于第一源极和第一漏极之间的沟道体；其中，第一栅极与写字线相连接，第一源极与源极线相连接，第一漏极与写位线相连接。读晶体管包括：第二栅极、第二源极和第二漏极；第二栅极与读字线相连接，第二漏极与读位线相连接，第二源极与写晶体管的所述沟道体相耦接。本公开可以提高存储单元的传感裕度和数据保持功能，从而提升存储器的存储性能。
本发明授权存储单元、存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于， 包括： 写晶体管位于基底上，包括：第一栅极、第一源极、第一漏极以及位于所述第一源极和所述第一漏极之间的沟道体；其中，所述第一栅极与写字线相连接，所述第一源极与源极线相连接，所述第一漏极与写位线相连接； 读晶体管位于所述基底上，包括：第二栅极、第二源极和第二漏极以及位于所述第二源极和所述第二漏极之间的第二沟道体；所述第二栅极与读字线相连接，所述第二漏极与读位线相连接，所述第二源极与所述写晶体管的所述沟道体相耦接，所述第二栅极位于所述第二沟道背离所述基底的一侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励