长鑫存储技术有限公司王晓玲获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119155989B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310678987.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法、存储器是由王晓玲;彭孟杰设计研发完成，并于2023-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，该形成方法包括：提供衬底和初始位线结构，衬底包括第一掺杂区和第二掺杂区，初始位线结构与第一掺杂区电连接，初始位线结构的至少一侧具有露出第二掺杂区的顶部的第一窗口；形成接触材料层，接触材料层填满第一窗口；在接触材料层的表面形成牺牲层；在牺牲层及接触材料层内形成多个间隔分布的牺牲部以及多个分别位于牺牲部下方的导电接触部；导电接触部与第二掺杂区电连接；相邻的两个牺牲部之间的间距大于其下方的两个导电接触部之间的间距；形成填满各导电接触部之间的间隙的绝缘层。本公开的形成方法可降低绝缘层中产生空隙的概率，提高产品良率。
本发明授权半导体结构及其形成方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供初始半导体结构，所述初始半导体结构包括衬底和初始位线结构，所述衬底包括多个有源区，所述有源区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述初始位线结构与所述第一掺杂区电连接，所述初始位线结构的至少一侧具有露出所述第二掺杂区的顶部的第一窗口； 形成覆盖所述初始半导体结构的接触材料层，所述接触材料层填满所述第一窗口； 在所述接触材料层的表面形成牺牲层； 对所述牺牲层及所述接触材料层进行蚀刻，以形成多个间隔分布的牺牲部以及多个分别位于所述牺牲部下方的导电接触部；所述导电接触部与所述第二掺杂区电连接；且相邻的两个所述牺牲部之间的间距大于其下方的两个所述导电接触部之间的间距； 形成填满各所述导电接触部之间的间隙的绝缘层。
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