长鑫存储技术有限公司谈亚丽获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119136534B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310671956.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制作方法是由谈亚丽设计研发完成，并于2023-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：第一晶体管，第一晶体管包括：第一栅极以及位于第一栅极沿第一方向相对两侧的第一源极及第一漏极，第一晶体管还包括：第一沟道层，第一沟道层环绕第一栅极，且与第一源极和第一漏极接触电连接；第二晶体管，第二晶体管位于第一晶体管的上方，第二晶体管包括：第二栅极以及位于第二栅极沿第二方向相对两侧的第二源极及第二漏极，第二漏极与第一栅极接触连接，第二晶体管还包括：第二沟道层，第二沟道层环绕第二栅极，且与第二源极和第二漏极接触电连接。可以增加第二晶体管的沟道长度。
本发明授权一种半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 第一晶体管位于第一凹槽内，所述第一凹槽沿第二方向延伸，所述第一晶体管包括：第一栅极以及位于所述第一栅极沿第一方向相对两侧的第一源极及第一漏极，所述第一晶体管还包括：第一沟道层，所述第一沟道层环绕所述第一栅极的侧壁及底面，且与所述第一源极和所述第一漏极接触电连接，所述第一方向和所述第二方向垂直； 第二晶体管位于第四凹槽内，所述第四凹槽沿第一方向延伸，所述第二晶体管位于所述第一晶体管的上方，所述第二晶体管包括：第二栅极以及位于所述第二栅极沿第二方向相对两侧的第二源极及第二漏极，所述第二漏极与所述第一栅极接触连接，所述第二晶体管还包括：第二沟道层，所述第二沟道层环绕所述第二栅极的底面、顶面和沿所述第一方向排布的两个侧壁中的一者，且与所述第二源极和所述第二漏极接触电连接。
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