中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所吴馨洲获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利高透无色的电致变色对电极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116626949B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310656679.9，技术领域涉及：G02F1/155；该发明授权高透无色的电致变色对电极及其制备方法是由吴馨洲;胡子首;苏文明设计研发完成，并于2023-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本高透无色的电致变色对电极及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种高透无色的电致变色对电极及其制备方法，电致变色对电极包括基材层；透明胶层，布置在基材层一面，透明胶层背离基材层一面设有相互连通呈网格状的若干个凹槽，凹槽内沿背离基材层的方向依次布置有电极材料和离子储存材料。本申请在透明胶层上设置网格状的凹槽结构，在凹槽结构内布置电极材料和离子储存材料，能够在保证对电极平衡工作电极能力的同时，避免离子储存材料影响对电极的透光率和透明度，相对于正面布置的离子储存材料，能够显著提高对电极的透光率，避免在电压变化时离子储存材料的变色对电致变色器件产生影响；同时由于离子储存材料本身颜色对电致变色器件影响减小，也能够极大的扩展离子储存材料的选择范围。
本发明授权高透无色的电致变色对电极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高透无色的电致变色对电极，其特征在于，包括： 基材层； 透明胶层，布置在所述基材层一面，所述透明胶层背离所述基材层一面设有相互连通呈网格状的若干个凹槽，所述凹槽内沿背离所述基材层的方向依次布置有电极材料和离子储存材料； 其中，所述离子储存材料包括MXene、PEDOT:PSS、氧化钨、氧化镍、二氧化钛、氧化铯中的一种材料或多种材料组合。
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