长鑫存储技术有限公司黄猛获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119136532B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310661632.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构是由黄猛设计研发完成，并于2023-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构。所述半导体结构，包括：层叠设置的存储层、互连层和焊盘层。存储层包括多个位线和多个字线。焊盘层包括多个第一焊盘和多个第二焊盘。互连层包括层叠设置的第一布线层、第二布线层、第三布线层和第四布线层。其中，第一布线层和第四布线层分别与位线对应连接，多个第一焊盘分别与第一布线层和第四布线层对应连接；第二布线层和第三布线层分别与字线对应连接，多个第二焊盘分别与第二布线层和第三布线层对应连接。所述半导体结构利于实现位线和字线与外部驱动电路的连接，以进一步提升三维存储器的存储密度及存储容量。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一衬底及层叠设置于第一衬底上的存储层、互连层和焊盘层；所述存储层包括多个位线，多个字线，以及多个有源柱；所述存储层、所述互连层和所述焊盘层的层叠方向为第一方向，多个所述位线的延伸方向为第二方向，多个所述有源柱的轴线方向为第三方向，且所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向两两相交； 所述焊盘层包括多个第一焊盘和多个第二焊盘；所述互连层包括层叠设置的第一布线层、第二布线层、第三布线层和第四布线层；其中， 所述第一布线层和所述第四布线层分别与所述位线对应连接，多个所述第一焊盘分别与所述第一布线层和所述第四布线层对应连接； 所述第二布线层和所述第三布线层分别与所述字线对应连接，多个所述第二焊盘分别与所述第二布线层和所述第三布线层对应连接。
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