武汉科技大学高标获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉科技大学申请的专利一种多孔微米硅球材料、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116621179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310642644.X，技术领域涉及：H01M4/38；该发明授权一种多孔微米硅球材料、制备方法及其应用是由高标设计研发完成，并于2023-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多孔微米硅球材料、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种多孔微米硅球负极材料的制备方法，包括以下步骤：将层状硅酸盐原料经过高温膨胀和机械球磨，经过酸洗提纯得到层状二氧化硅；将层状二氧化硅与铝粉、氯化钠、氯化铝混合装入反应容器中，加热进行还原反应；将反应物用盐酸和氢氟酸溶液洗涤，随后抽滤至中性、真空干燥，得到多孔微米硅球。本发明的多孔微米硅球负极材料制备过程简单，原料来源广泛，材料的振实密度高、结构稳定，在锂离子电池中的应用具有长效循环，倍率性能优异，电极膜溶胀率小等优点，具有很好的商业应用前景。
本发明授权一种多孔微米硅球材料、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种多孔微米硅球材料的制备方法，包括如下步骤： （1）将层状硅酸盐原料经过高温膨胀和机械球磨，经过盐酸酸洗提纯得到层状二氧化硅； （2）将层状二氧化硅与铝粉、氯化钠、氯化铝混合装入容器中，加热进行还原反应； （3）将步骤（2）得到的反应物用盐酸和氢氟酸溶液洗涤，随后抽滤至中性、真空干燥，得到多孔微米硅球材料； 步骤（1）中：所述层状硅酸盐原料选自蛭石；高温膨胀温度为800-1200℃；机械球磨后将尺寸控制在5-50μm； 步骤（2）中：层状二氧化硅与铝粉、氯化钠、氯化铝的质量比为：1：0.8：2.875：10；还原反应温度为250-400℃；反应时间为10-14h。
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